|
Descripción
|
|
|---|---|
| Procedimiento de fabricación de dispositivos optoelectrónicos de banda intermedia basados en tecnología de lámina delgada caracterizado porque comprende, al menos, las siguientes etapas: - una primera etapa, donde sobre un substrato (1) se deposita una capa metálica (2) que actuará como electrodo; - una segunda etapa, donde sobre la capa metálica (2) se deposita un elemento semiconductor de tipo p (3); y - una tercera etapa, de procesado del material de banda intermedia; donde dicho material de banda intermedia consiste en un estructuras nanoscópicas (4) de material multinario de tipo (Cu, Ag)(Al, Ga, In)(S, Se, Te)2 embebido en una matriz (5) de composición similar, salvo por la ausencia de, al menos, un catión presente en la estructura nanoscópica. | |
|
Internacional
|
Si |
|
Estado
|
Concedida |
|
Referencia Patente Prioritaria
|
P200801711 |
|
En explotación
|
No |
|
Fecha solicitud
|
06/06/2008 |
|
Titulares aparte de la UPM
|
|