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Descripción
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| Es posible crear materiales de banda intermedia en silicio mediante la implantación iónica en dosis elevadas de elementos que produzcan centros profundos en el silicio. Sin embargo, el material de banda intermedia (4) se crea en la superficie de la oblea implantada (7) planteándose una dificultad técnica ya que, para fabricar una célula solar completa, resulta necesario envolver este material de banda intermedia entre un semiconductor de tipo p (5) y otro de tipo n (6) utilizando un proceso de baja temperatura que evite la segregación y formación de clústeres del elemento implantado. En esta patente, esta dificultad se resuelve creando la estructura p n mediante la deposición de capas de silicio amorfo hidrogenado de calidad a baja temperatura. | |
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Internacional
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No |
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Estado
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Solicitada |
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Referencia Patente Prioritaria
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P200900461 |
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En explotación
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No |
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Fecha solicitud
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19/02/2009 |
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Titulares aparte de la UPM
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UPC - Universitat Politécnica de Cataluña ,Universidad Complutense de Madrid (UCM) |