Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Márgenes de eficiencia de la biestabilidad óptica activa en semiconductores
Año:2009
Áreas de investigación
  • Circuitos electrónicos,
  • Procesado y análisis de la señal,
  • Dispositivos electrónicos
Datos
Descripción
La importancia de la biestabilidad óptica activa es un hecho conocido, pero el uso de este efecto no lineal requiere de una correcta caracterización del dispositivo, que nos permita determinar las condiciones de polarización del mismo, para una función dada, entre las diversas aplicaciones que ofrece. El presente trabajo describe la metodología empleada para la caracterización de un diodo láser mediante herramientas CAD comerciales. Se presentan los resultados de los parámetros más característicos, contraste y anchura de histéresis, en las condiciones estándar para poder identificar los márgenes de eficiencia.
Internacional
No
JCR del ISI
No
Título de la revista
Optica Pura y Aplicada
ISSN
0030-3917
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
42
DOI
Número de revista
4
Desde la página
233
Hasta la página
239
Mes
NOVIEMBRE
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Javier Solis Ros (Alumno UPM)
  • Autor: Ana Pilar Gonzalez Marcos (UPM)
  • Autor: Jose Antonio Martin Pereda (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Life Supporting Technologies (Tecnologías de Apoyo a la Vida)
  • Departamento: Tecnología Fotónica
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