Memorias de investigación
Proyecto de I+D+i:
P-TYPE DOPING OF GAN AN AIGAN LAYERS GROWN BY MBE
Año:2009

Áreas de investigación
  • Industria electrónica

Datos
Descripción
Relacionado con línea de Investigación del GDS-ISOM: http://www.isom.upm.es/invdes.php
Internacional
Si
Tipo de proyecto
Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas
Entidad financiadora
USA: ONR WIDEBANDGAP, NICOP Program, N00014-00-1-0366.
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Tamaño de la entidad
Desconocido
Fecha concesión
01/01/2006

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica