Memorias de investigación
Research Project:
P-TYPE DOPING OF GAN AN AIGAN LAYERS GROWN BY MBE
Year:2009

Research Areas
  • Electronics engineering

Information
Abstract
Relacionado con línea de Investigación del GDS-ISOM: http://www.isom.upm.es/invdes.php
International
Si
Project type
Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas
Company
USA: ONR WIDEBANDGAP, NICOP Program, N00014-00-1-0366.
Entity Nationality
Sin nacionalidad
Entity size
Desconocido
Granting date
01/01/2006
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica