Artículos en revistas:
R. CUERDO, E. SILLERO, M. F. ROMERO, M. J. UREN, M.-A. DI FORTE POISSON, E. MUÑOZ, F. CALLE "High Temperature Microwave Performance of Submicron AlGaN/GaN HEMTs on SiC" IEEE Electron Device Letters, 30, 808-810 (2009)
R. CUERDO, E. SILLERO, M. F. ROMERO, M. J. UREN, M.-A. DI FORTE POISSON, E. MUÑOZ, F. CALLE "High Temperature Microwave Performance of Submicron AlGaN/GaN HEMTs on SiC" IEEE Electron Device Letters, 30, 808-810 (2009)
Año:2009
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS |
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ISSN
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0741-3106 |
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Factor de impacto JCR
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3,049 |
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Información de impacto
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Volumen
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30 |
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DOI
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Número de revista
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0 |
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Desde la página
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808 |
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Hasta la página
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810 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Participantes
- Autor: Eugenio Sillero Herrero (UPM)
- Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
- Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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