Artículos en revistas:
S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, J. GRANDAL, E. CALLEJA, M.A. SÁNCHEZ-GARCÍA, D. L. ROMERO "A growth diagram for plasma-assisted molecular beam epitaxy of GaN nanocolumns on Si(111)" Journal of Applied Physics, 106, 126102-1, 126102-3 (2009)
S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, J. GRANDAL, E. CALLEJA, M.A. SÁNCHEZ-GARCÍA, D. L. ROMERO "A growth diagram for plasma-assisted molecular beam epitaxy of GaN nanocolumns on Si(111)" Journal of Applied Physics, 106, 126102-1, 126102-3 (2009)
Año:2009
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
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ISSN
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0021-8979 |
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Factor de impacto JCR
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2,201 |
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Información de impacto
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Volumen
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106 |
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DOI
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Número de revista
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0 |
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Desde la página
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126102-1 |
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Hasta la página
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126102-3 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Participantes
- Autor: Sergio Fernandez Garrido (UPM)
- Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: David Lopez-Romero Moraleda (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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