Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
R. GARGALLO-CABALLERO, Á.GUZMÁN, M. HOPKINSON, J. M. ULLOA, A. HIERRO, E. CALLEJA "Dependence of N incorporation into (Ga)InAsN QDs on Ga content probed by rapid thermal annealing" Physica status solidi (c), 6,6, 1441-1444 (2009)
Año:2009
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS
ISSN
0370-1972
Factor de impacto JCR
1,166
Información de impacto
Volumen
6
DOI
Número de revista
6
Desde la página
1441
Hasta la página
1444
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Raquel Gargallo Caballero (UPM)
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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