Memorias de investigación
Artículos en revistas:
A. GUZMÁN, E. LUNA, F. ISHIKAWA, A. TRAMPERT "The role of Sb and N ions on the morphology and localization of (Ga,In) (N,As) quantum wells" Journal of Crystal Growth, 311, 1728-1732 (2009)
Año:2009

Áreas de investigación
  • Industria electrónica

Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ISSN
0022-0248
Factor de impacto JCR
1,757
Información de impacto
Volumen
311
DOI
Número de revista
0
Desde la página
1728
Hasta la página
1732
Mes
ENERO
Ranking

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Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica