Memorias de investigación
Artículos en revistas:
V. HAXHA, I. DROUZAS, J.M. ULLOA, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD, D.J. MOWBRAY, H.Y. LIU, M.J. STEER, M. HOPKINSON, M.A. MIGLIORATO "Role of Segregation in InAs/GaAs Quantum Dot Structures Capped with a GaAsSb Strain Reduction Layer" Physical Review B 80, 165334 (2009)
Año:2009

Áreas de investigación
  • Industria electrónica

Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
PHYSICAL REVIEW B
ISSN
1098-0121
Factor de impacto JCR
3,322
Información de impacto
Volumen
80
DOI
Número de revista
0
Desde la página
165334
Hasta la página
165338
Mes
ENERO
Ranking

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Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología