Artículos en revistas:
A. REDONDO-CUBERO, K. LORENZ, N. FRANCO, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, R. GAGO, P.J.M. SMULDERS, E. MUÑOZ, E. CALLEJA, E. ALVES "Influence of steering effects on strain detection in AlGaInN/GaN heterostructures by ion channelling" J. Phys. D: Appl. Phys., 42 (6), 065420-1/8 (2009)
A. REDONDO-CUBERO, K. LORENZ, N. FRANCO, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, R. GAGO, P.J.M. SMULDERS, E. MUÑOZ, E. CALLEJA, E. ALVES "Influence of steering effects on strain detection in AlGaInN/GaN heterostructures by ion channelling" J. Phys. D: Appl. Phys., 42 (6), 065420-1/8 (2009)
Año:2009
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS |
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ISSN
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0022-3727 |
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Factor de impacto JCR
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2,104 |
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Información de impacto
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Volumen
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42 |
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DOI
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Número de revista
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6 |
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Desde la página
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065420-1 |
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Hasta la página
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065420-8 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Participantes
- Autor: Andres Redondo Cubero (UPM)
- Autor: Sergio Fernandez Garrido (UPM)
- Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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