Artículos en revistas:
A.REDONDO-CUBERO, K LORENZ, R GAGO, N FRANCO, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, P.J.M. SMULDERS, E. MUÑOZ, E. CALLEJA, I.M. WATSON, E. ALVES "Breakdown of anamalous channeeling with ion energy for accurate strain determination in GaN-based heterostructures" Applied Physics Letters, 95, 051921-3 (2009)
A.REDONDO-CUBERO, K LORENZ, R GAGO, N FRANCO, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, P.J.M. SMULDERS, E. MUÑOZ, E. CALLEJA, I.M. WATSON, E. ALVES "Breakdown of anamalous channeeling with ion energy for accurate strain determination in GaN-based heterostructures" Applied Physics Letters, 95, 051921-3 (2009)
Año:2009
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,726 |
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Información de impacto
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Volumen
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95 |
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DOI
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Número de revista
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0 |
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Desde la página
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051921 |
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Hasta la página
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051921-3 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Participantes
- Autor: Andres Redondo Cubero (UPM)
- Autor: Sergio Fernandez Garrido (UPM)
- Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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