Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
C. RIVERA, E. MUÑOZ "The role of electric field-induced strain in the degradation mechanism of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors" Applied Physics Letters 94, 053501 (2009).
Año:2009
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,726
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
94
Desde la página
053501
Hasta la página
053501
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Carlos Rivera De Lucas (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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