Descripción
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Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php | |
Internacional
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Si |
Nombre congreso
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8th International Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-8) |
Tipo de participación
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960 |
Lugar del congreso
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Jeju (Korea), 2009 |
Revisores
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Si |
ISBN o ISSN
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0000000000000 |
DOI
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Fecha inicio congreso
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18/10/2009 |
Fecha fin congreso
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23/10/2009 |
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Título de las actas
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"Source and drain resistances behaviour as a function of temperature and drain current in AlGaN/GaN HEMTs" |