Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
GaInP/GaInAs/Ge triple junction solar cells for ultra high concentration
Año:2009
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
In this paper we characterize the first functional, lattice matched, GaInP/GaInAs/Ge triple junction solar cells grown and manufactured in our lab with an efficiency conversion of 31.5% at a concentration level of 1000 suns. This is our first approach for transferring the world record double junction solar cell, also developed in our group, into a Ge substrate. First experimental results are presented and the strategy to improve its efficiency is outlined.
Internacional
Si
Nombre congreso
2009 Spanish Conference on Electron Devices
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Santiago de Compostela
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-1-4244-2839-7
DOI
Fecha inicio congreso
11/02/2009
Fecha fin congreso
13/02/2009
Desde la página
383
Hasta la página
386
Título de las actas
2009 Spanish Conference on Electron Devices
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Participante: B. Galiana (Instituto de Energía Solar)
  • Autor: Enrique Barrigon Montañes (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
  • Autor: Ivan Garcia Vara (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física
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