Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
J. MATEOS, S. PÉREZ, R. CUERDO, E. MUÑOZ, F. CALLE, T. GONZÁLEZ "Monte Carlo Simulation of GaN HEMTs: Influence of GaN p-type Doping and High Temperature of Operation" 33rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE¿09) Málaga (Spain), 2009
Año:2009
Áreas de investigación
  • Óptica, electromagnetismo,
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
Internacional
Si
Nombre congreso
33rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE¿09) Málaga (Spain), 2009
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Málaga (Spain), 2009
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
17/05/2009
Fecha fin congreso
20/05/2009
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Título de las actas
"Monte Carlo Simulation of GaN HEMTs: Influence of GaN p-type Doping and High Temperature of Operation¿ 33rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE¿09)
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: Javier Zugasti Raposo (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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