Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Formation of Ge nanocrystals and evolution of the oxide matrix in as-deposited and annealed LPCVD SiGeO films
Año:2009
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
SiGeO films were deposited by LPCVD using Si2H6, GeH4 and O2 as reactive gases and furnace annealed to segregate the possible excess of Si and Ge in the form of nanocrystals embedded in an oxide matrix. For low GeH4VSi2H6 flow ratios and deposition temperatures of 450 C or lower, the deposited film consists of a SiO2 matrix incorporating Ge. No Ge oxides and no nanocrystals are detected. After annealing of the samples with SiO2 matrices at temperatures of 600 C or higher, quasi-spherical isolated Ge nanocrystals with diameters ranging from 4.5 to 9 nm and homogeneously distributed throughout the whole film thickness are formed. In the samples deposited with low GeH4:Si2H6 flow ratios, the original SiO2 matrix holds its composition.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
ISSN
0749-6036
Factor de impacto JCR
1,211
Información de impacto
Volumen
45
DOI
10.1016/j.spmi.2008.10.037
Número de revista
0
Desde la página
343
Hasta la página
348
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Participante: A. Kling (Instituto Tecnológico e Nuclear, Portugal)
  • Participante: C Ballesteros (Universidad Carlos III)
  • Autor: Jesus Sangrador Garcia (UPM)
  • Participante: M. I. Órtiz (Universidad Carlos III)
  • Autor: Andres Rodriguez Dominguez (UPM)
  • Participante: B. Morana (Universida Politécnica de Madrid)
  • Autor: Tomas Rodriguez Rodriguez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y Materiales Electrónicos
  • Departamento: Tecnología Electrónica
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