Memorias de investigación
Artículos en revistas:
High-power tunnel-injection 1060-nm InGaAs/(Al)GaAs quantum-dot lasers
Año:2009

Áreas de investigación
  • Industria electrónica

Datos
Descripción
Inyección de alta potencia en láseres de quantum-dot de InGaAs/(Al) GaAs
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
ISSN
1041-1135
Factor de impacto JCR
2,173
Información de impacto
Volumen
21
DOI
Número de revista
14
Desde la página
999
Hasta la página
1001
Mes
ENERO
Ranking

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Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Fotónica Aplicada
  • Departamento: Tecnología Fotónica