Memorias de investigación
Research Publications in journals:
A. BENGOECHEA ENCABO, J. HOWGATEB, M. STUZMANNB, M. EICKHOFF, M.A SANCHEZ-GARCIA "Ultrathin GaN/AlN/GaN solution-gate field effect transistor with enhanced resolution at low source-gate voltage" Sensors and Actuators B 142 (2009) 304-307
Year:2009

Research Areas
  • Electronics engineering

Information
Abstract
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
International
Si
JCR
No
Title
Sensors and actuators. B, Chemical
ISBN
0925-4005
Impact factor JCR
0
Impact info
Volume
142
Journal number
0
From page
304
To page
307
Month
ENERO
Ranking
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica