Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
A. BENGOECHEA ENCABO, J. HOWGATEB, M. STUZMANNB, M. EICKHOFF, M.A SANCHEZ-GARCIA "Ultrathin GaN/AlN/GaN solution-gate field effect transistor with enhanced resolution at low source-gate voltage" Sensors and Actuators B 142 (2009) 304-307
Año:2009
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php
Internacional
Si
JCR del ISI
No
Título de la revista
Sensors and actuators. B, Chemical
ISSN
0925-4005
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
142
DOI
Número de revista
0
Desde la página
304
Hasta la página
307
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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