Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Large-Signal Modeling of Power GaN HEMTs Including Thermal Effects
Año:2007
Áreas de investigación
  • Procesado y análisis de la señal
Datos
Descripción
In this paper a procedure to extract temperature dependent equivalent ciucuits for modeling the small and large signal behavior of GaN HEMTs is presented. The technique explained in this work uses pulsed I-V measurements to obtain the temperature dependence of the parameters describing the nonlinear drain current source behavior. The equivalent circuits extracted are capable of correctly modeling the DC, small signal and large signal characteristics of GaN HEMTs devices. Simulations and measurements carried out on three transistors developed by SELEX-SI are compared over a wide range of frequencies, bias and load conditions.
Internacional
Si
Nombre congreso
2nd European Microwave Integrated Circuit Conference (EuMic, formerly GaAs)
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Munich, Alemania
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-2-87487-002-6
DOI
Fecha inicio congreso
08/10/2007
Fecha fin congreso
10/10/2007
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Título de las actas
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Antonio Cetronio (SELEX)
  • Autor: Marco Peroni (SELEX)
  • Autor: Antonio Serino (U. degli Studi di Roma)
  • Autor: Jesus Grajal De la Fuente (UPM)
  • Autor: Antonio Nani (U. degli Studi di Roma)
  • Autor: Germán Torregrosa Penalva (UMH)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microondas y Radar
  • Departamento: Señales, Sistemas y Radiocomunicaciones
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