Memorias de investigación
Research Publications in journals:
A . BENGOECHEA ENCABO, J. HOWGATE, M. STUTZMANN, M. EICKHOFF, M.A. SÁNCHEZ-GARCÍA Ultrathin GaN/AlN/GaN solution-gate field effect transistor with enhanced resolution at low source-gate voltage Sensors and Actuators B, 142, 304 (2009)
Year:2009

Research Areas
  • Electronics engineering

Information
Abstract
Relacionado con línea de investigación GDS
International
Si
JCR
Si
Title
SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL
ISBN
0925-4005
Impact factor JCR
3,122
Impact info
Volume
142
Journal number
134
From page
304
To page
308
Month
ENERO
Ranking
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica