Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
A . BENGOECHEA ENCABO, J. HOWGATE, M. STUTZMANN, M. EICKHOFF, M.A. SÁNCHEZ-GARCÍA Ultrathin GaN/AlN/GaN solution-gate field effect transistor with enhanced resolution at low source-gate voltage Sensors and Actuators B, 142, 304 (2009)
Año:2009
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigación GDS
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL
ISSN
0925-4005
Factor de impacto JCR
3,122
Información de impacto
Volumen
142
DOI
Número de revista
134
Desde la página
304
Hasta la página
308
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: J. HOWGATE
  • Autor: M. STUTZMANN
  • Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
  • Autor: M. EICKHOFF
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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