Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Formation of nanocrystals and evolution of the oxide matrix in annealed LPCVD SiGeO films
Año:2009
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
SiGeO films were deposited by LPCVD using Si2H6, GeH4 and O2 as reactive gases and furnace annealed to segregate the possible excess of Si and Ge in the form of nanocrystals embedded in an oxide matrix. For low GeH4VSi2H6 flow ratios and deposition temperatures of 450 ºC or lower, the deposited film consists of a SiO2 matrix incorporating Ge. No Ge oxides and no nanocrystals are detected. After annealing of the samples with SiO2 matrices at temperatures of 600 ºC or higher, quasi-spherical isolated Ge nanocrystals with diameters ranging from 4.5 to 9 nm and homogeneously distributed throughout the whole film thickness are formed. In the samples deposited with low GeH4VSi2H6 flow ratios, the original SiO2 matrix holds its composition
Internacional
Si
JCR del ISI
No
Título de la revista
Superlattices and Microstructures
ISSN
0749-6036
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
45
DOI
Número de revista
0
Desde la página
343
Hasta la página
348
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Ballesteros C.
  • Autor: Morana B.
  • Autor: Andres Rodriguez Dominguez (UPM)
  • Autor: Ortiz M.I.
  • Autor: Jesus Sangrador Garcia (UPM)
  • Autor: Kling A.
  • Autor: Tomas Rodriguez Rodriguez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Tecnología Electrónica
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