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Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Raman spectroscopy of group IV nanostructured semiconductors: influence of size, temperature and stress
Año:2009
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Group IV nanostructures have attracted a great deal of attention because of their potential applications in optoelectronics and nanodevices. Raman spectroscopy has been extensively used to characterize nanostructures since it provides non destructive information about their size, by the adequate modeling of the phonon confinement effect. However, the Raman spectrum is also sensitive to other factors, as stress and temperature, which can mix with the size effects borrowing the interpretation of the Raman spectrum. We present herein an analysis of the Raman spectra obtained for Si nanowires; the influence of the excitation conditions and the heat dissipation media are discussed in order to optimize the experimental conditions for reliable spectra acquisition and interpretation.
Internacional
Si
JCR del ISI
No
Título de la revista
Applications of Group IV Semiconductor Nanostructures. Materials Research Society
ISSN
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Participantes
  • Participante: O. Martínez
  • Participante: A.C. Prieto
  • Autor: Francisco J. Jimenez Leube (UPM)
  • Autor: Andres Rodriguez Dominguez (UPM)
  • Autor: Jesus Sangrador Garcia (UPM)
  • Autor: Tomas Rodriguez Rodriguez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Tecnología Electrónica
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