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Descripción
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| En este trabajo se presenta un modelo de simulación de diodos láser en forma de embudo y con contactos separados, que se ha empleado para simular dispositivos de InGaAs con emisión a 980 nm. Los resultados de las simulaciones se comparan con medidas experimentales. | |
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Internacional
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No |
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Nombre congreso
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6th Spanish Conference on Electron Devices, 2007 |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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San Lorenzo de El Escorial (Madrid) |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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1-4244-0868-7 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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31/01/2007 |
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Fecha fin congreso
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02/02/2007 |
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Desde la página
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Hasta la página
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Título de las actas
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