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Abstract
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| En este trabajo se presenta un modelo de simulación de diodos láser en forma de embudo y con contactos separados, que se ha empleado para simular dispositivos de InGaAs con emisión a 980 nm. Los resultados de las simulaciones se comparan con medidas experimentales. | |
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International
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No |
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Congress
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6th Spanish Conference on Electron Devices, 2007 |
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960 |
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Place
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San Lorenzo de El Escorial (Madrid) |
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Reviewers
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Si |
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ISBN/ISSN
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1-4244-0868-7 |
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Start Date
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31/01/2007 |
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End Date
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02/02/2007 |
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