Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Physics-Based Modeling Aspects of Schottky Diodes for Circuit Design Above 1 THz
Año:2010
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
This work analyzes some of the physical aspects that must be dealt with for terahertz circuit design based on Schottky diodes beyond 1 THz. The high operation frequencies and the small dimensions that will be required for the devices make it essential to employ physics-based numerical simulators for the device optimization. We present an overview of the possible alternatives and discuss the most adequate ones considering both accuracy and simulation time. As a reference, we employ a Monte Carlo simulator because it provides a numerical solution to the Boltzmann Transport Equation. Since high doping levels will be necessary at these frequencies, the MC analyses should be based on Fermi-Dirac statistics. An efficient method for the inclusion of Fermi-Dirac statistics in MC simulators for non-homogeneous devices is also outlined and the effects of using Fermi-Dirac statistics instead of Maxwell-Boltzmann in Schottky diode models are analyzed.
Internacional
Si
Nombre congreso
21ST International Symposium on Space Terahertz Technology
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Oxford, Reino Unido.
Revisores
Si
ISBN o ISSN
DOI
Fecha inicio congreso
23/03/2010
Fecha fin congreso
25/03/2010
Desde la página
404
Hasta la página
410
Título de las actas
Proceedings Conference
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: José Vicente Siles Pérez (UPM)
  • Autor: Aldo Di Carlo (University of Rome II Tor Vergata, Roma. Italia)
  • Autor: Jesus Grajal De la Fuente (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microondas y Radar
  • Departamento: Señales, Sistemas y Radiocomunicaciones
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