Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
J.M. ULLOA, R. GARGALLO-CABALLERO, M. BOZKURT, M. DEL MORAL, P. M. KOENRAAD, A. GUZMAN, A. HIERRO ''GaAsSb-capped InAs quantum dots: from enlarged quantum dot height to alloy fluctuations'' Physical Review B, 81, 165305 (2010)
Año:2010
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
PHYSICAL REVIEW B
ISSN
1098-0121
Factor de impacto JCR
3,475
Información de impacto
Volumen
B
DOI
Número de revista
81
Desde la página
165305/1
Hasta la página
165305/7
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: Raquel Gargallo Caballero (UPM)
  • Autor: M BOZKURT
  • Autor: M DEL MORAL
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: K. KOENRAAD
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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