Memorias de investigación
Artículos en revistas:
J.M. ULLOA, P. M. KOENRAAD, M. BONNET-EYMARD, A. LÉTOUBLON, N. BERTRU ''Effect of a lattice-matched GaAsSb capping layer on the structural properties of InAs/InGaAs/InP quantum dots'' J. Appl. Phys. 107, 074309 (2010)
Año:2010

Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones

Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,072
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
107
Desde la página
074309
Hasta la página
074311
Mes
ENERO
Ranking

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero UPM
  • Autor: P. M. KOENRAAD
  • Autor: M. BONNET-EYMARD
  • Autor: A. LÉTOUBLON
  • Autor: N. BERTRU

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología