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Descripción
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| Las actividades realizadas durante la estancia en el HZB (Helmholtz Zentrum Berlin) se han centrado en el objetivo inicialmente propuesto, i.e tratar de entender desde el punto de vista de la física de superficies la nucleación del GaInP (fosfuro de galio indio) sobre Ge (germanio) en un reactor MOVPE (del ingles Metal Organic Vapour Phase Epitaxy). Esta misma técnica epitaxial es la utilizada en el IES-UPM por el adjudicatario para llevar a cabo el principal objetivo propuesto en el marco de su tesis doctoral, que es la obtención de una célula fotovoltaica multiunión con una alta eficiencia basada en semiconductores de la familia III-V. Ello pasa por optimizar la calidad de la primera capa semiconductora, en este caso GaInP (semiconductor de la familia III-V), sobre el sustrato de Ge (semiconductor de la familia IV). Se ha abordado el problema intentando entender la dinámica del crecimiento epitaxial en colaboración con el HZB. Para ello, en un primer momento se analiza las distintas reconstrucciones superficiales que se pueden obtener del Ge en un reactor MOVPE, i.e. diferentes terminaciones debido a átomos adsorbidos intencionadamente como As o P. Como se sospechaba y se ha verificado experimentalmente, el pretratamiento de la oblea, i.e. el estado de la superficie, tiene un papel determinante en la calidad del posterior crecimiento de la capa de GaInP. El centro receptor del adjudicatario de la ayuda posee para tal efecto entre sus instalaciones un equipo de transferencia en ultra alto vacío (en inglés UHV), acoplado al reactor MOVPE. De esta manera, es posible transferir desde la cámara de reacción del reactor a diversos equipos que trabajan también en UHV, evitando cualquier contaminación no intencionada de la muestra. Los técnicas que se han utilizado para caracterizar la superficie del Ge son LEED (Low Energy Electron Difraction) para analizar el tipo de la reconstrucción superficial, XPS (Xray Spectroscopy) para detectar los contaminantes en la superficie y STM (Scanning Tunnel Microscopy) para hacer un mapeado real de la superficie. Asimismo, todas las muestras analizadas han sido caracterizadas insitu en el reactor mediante RAS (Reflectance Anisotropy Spectroscopy), el mismo equipo con el que cuenta el reactor MOVPE del IES-UPM, lo cual permite utilizar los conocimientos y distintas preparaciones aprendidas allí. | |
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Internacional
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Si |
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Lugar
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Helmholtz Zentrum berlin |
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Tipo
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Miembros en el extranjero |
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Fecha inicio
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15/09/2010 |
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Fecha fin
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13/01/2011 |