Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Optimization of thin AlN sputtered films for X-band BAW resonators
Año:2010
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
We investigate the sputter growth of very thin aluminum nitride (AlN) films on iridium electrodes for high frequency filtering applications. The structure and piezoelectric activity of AlN films are assessed through XRD, FTIR, stress and frequency response measurements. A combination of a pre-deposition rf plasma treatment of the Ir bottom electrode followed by a two-step ac reactive sputtering of the AlN film allows to optimize the crystal quality and residual stress of AlN films with thicknesses as low as 160 nm. BAW resonators tuned around 8 GHz are built on top of polished Bragg reflectors composed of porous SiO2 and Ir layers. Material coupling factors kmat2 of 6.7% and quality factors Q up to 900 are achieved. The films obtained are competitive for X-band filter fabrication.
Internacional
Si
Nombre congreso
2010 IEEE INTERNATIONAL ULTRASONICS SYMPOSIUM
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
San Diego
Revisores
Si
ISBN o ISSN
1051-0117
DOI
Fecha inicio congreso
11/10/2010
Fecha fin congreso
14/10/2010
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Título de las actas
2010 IEEE INTERNATIONAL ULTRASONICS SYMPOSIUM PROCEEDUNGS
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Enrique Iborra Grau (UPM)
  • Participante: Valeriy Felmetsger (OEM Group Inc.)
  • Autor: Marta Clement Lorenzo (UPM)
  • Autor: José Capilla Osorio (UPM)
  • Autor: Jimena Olivares Roza (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y Materiales Electrónicos
  • Departamento: Tecnología Electrónica
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