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Descripción
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| En este proyecto se abordó el depósito de capas delgadas de AlN para resonadores FBAR de alta frecuencia (> 3GHz). Se aúnan los campos de los resonadores acústicos y el de los dispositivos MEMS, en los que el GMME ha incidido en los últimos años. Se desarrolla la tecnología de fabricación de resonadores FBAR adaptando las tecnologías de micromecanizado en superficie desarrolladas para microsistemas en otro proyecto del Plan Nacional no incluido aquí. | |
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Internacional
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No |
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Tipo de proyecto
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Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas |
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Entidad financiadora
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Ministerio de Educación y Ciencia |
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Nacionalidad Entidad
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ESPAÑA |
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Tamaño de la entidad
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Desconocido |
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Fecha concesión
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