Artículos en revistas:
A.VILALTA-CLEMENTE, G. R.MUTTA, M. P. CHAUVAT, M. MORALES, J. L. DOUALAN, P. RUTERANA, J. GRANDAL, M. A. S ÁNCHEZ-GARCIA, F. CALLE, E. VALCHEVA, K. KIRILOV, ''Investigation of InN layers grown by molecular beam epitaxy on GaN templates'' Physica Status Solidi (a), 207, 1079-1082 (2010)
A.VILALTA-CLEMENTE, G. R.MUTTA, M. P. CHAUVAT, M. MORALES, J. L. DOUALAN, P. RUTERANA, J. GRANDAL, M. A. S ÁNCHEZ-GARCIA, F. CALLE, E. VALCHEVA, K. KIRILOV, ''Investigation of InN layers grown by molecular beam epitaxy on GaN templates'' Physica Status Solidi (a), 207, 1079-1082 (2010)
Año:2010
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE |
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ISSN
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1862-6300 |
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Factor de impacto JCR
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1,228 |
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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Número de revista
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207 |
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Desde la página
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1079 |
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Hasta la página
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1082 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Participantes
- Autor: A. A.VILALTA-CLEMENTE
- Autor: G. R. MUTTA
- Autor: M. P. CHAUVAT
- Autor: M. MORALES
- Autor: J. L. DOUALAN
- Autor: P. RUTERANA
- Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
- Autor: E. VALCHEVA
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: K. KIRILOV
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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