Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
A.VILALTA-CLEMENTE, G. R.MUTTA, M. P. CHAUVAT, M. MORALES, J. L. DOUALAN, P. RUTERANA, J. GRANDAL, M. A. S ÁNCHEZ-GARCIA, F. CALLE, E. VALCHEVA, K. KIRILOV, ''Investigation of InN layers grown by molecular beam epitaxy on GaN templates'' Physica Status Solidi (a), 207, 1079-1082 (2010)
Año:2010
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
ISSN
1862-6300
Factor de impacto JCR
1,228
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
207
Desde la página
1079
Hasta la página
1082
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: A. A.VILALTA-CLEMENTE
  • Autor: G. R. MUTTA
  • Autor: M. P. CHAUVAT
  • Autor: M. MORALES
  • Autor: J. L. DOUALAN
  • Autor: P. RUTERANA
  • Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
  • Autor: E. VALCHEVA
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: K. KIRILOV
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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