Artículos en revistas:
J. PEREIRO, A. REDONDO-CUBERO, S. FERNANDEZ-GARRIDO, C. RIVERA, A. NAVARRO, E. MUNOZ, E. CALLEJA, R. GAGO, "Mg doping of InGaN layers grown by PA-MBE for the fabrication of Schottky barrier photodiodes" Journal of Physics D: Applied Physics, 43, 33, 335101 (2010)
Año:2010
Áreas de investigación
Ingenierías,
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
ISSN
0022-3727
Factor de impacto JCR
2,083
Información de impacto
Volumen
43
DOI
Número de revista
33
Desde la página
335101
Hasta la página
335103
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de
investigación
Participantes
Autor: J. PEREIRO
Autor: Andres Redondo Cubero (UPM)
Autor: C. RIVERA
Autor: Sergio Fernandez Garrido (UPM)
Autor: A. NAVARRO
Autor: R. GAGO
Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología