Artículos en revistas:
J. PEREIRO, A. REDONDO-CUBERO, S. FERNANDEZ-GARRIDO, C. RIVERA, A. NAVARRO, E. MUNOZ, E. CALLEJA, R. GAGO, "Mg doping of InGaN layers grown by PA-MBE for the fabrication of Schottky barrier photodiodes" Journal of Physics D: Applied Physics, 43, 33, 335101 (2010)
J. PEREIRO, A. REDONDO-CUBERO, S. FERNANDEZ-GARRIDO, C. RIVERA, A. NAVARRO, E. MUNOZ, E. CALLEJA, R. GAGO, "Mg doping of InGaN layers grown by PA-MBE for the fabrication of Schottky barrier photodiodes" Journal of Physics D: Applied Physics, 43, 33, 335101 (2010)
Año:2010
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS |
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ISSN
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0022-3727 |
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Factor de impacto JCR
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2,083 |
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Información de impacto
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Volumen
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43 |
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DOI
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Número de revista
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33 |
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Desde la página
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335101 |
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Hasta la página
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335103 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Participantes
- Autor: J. PEREIRO
- Autor: Andres Redondo Cubero (UPM)
- Autor: C. RIVERA
- Autor: Sergio Fernandez Garrido (UPM)
- Autor: A. NAVARRO
- Autor: R. GAGO
- Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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