Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ "Efecto de la incorporación de nitrógeno en puntos cuánticos enterrados de in In(Ga)As crecidos sobre GaAs" Congreso Nacional de Materiales, Zaragoza (Spain), 2010
Año:2010

Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones

Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
No
Nombre congreso
Congreso Nacional de Materiales Zaragoza (Spain), 2010
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Zaragoza (Spain), 2010
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
23/06/2010
Fecha fin congreso
25/06/2010
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Título de las actas
Efecto de la incorporación de nitrógeno en puntos cuánticos enterrados de in In(Ga)As crecidos sobre GaAs

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología