Memorias de investigación
Communications at congresses:
J.M. ULLOA, R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, A. HIERRO . "GaAsSbN-capped InAs quantum dots for 1.3 - 1.55 µm emission" European Materials Research Society Spring Meeting 2010. Strasbourg (France), 2010
Year:2010
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
International
Si
Congress
European Materials Research Society Spring Meeting 2010 Strasbourg (France), 2010
960
Place
Strasbourg (France), 2010
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
07/06/2010
End Date
11/06/2010
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GaAsSbN-capped InAs quantum dots for 1.3 ¿ 1.55 µm emission
Participants
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología