Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
J. M. ULLOA, M. DEL MORAL, M. BOZKURT, R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, P. M. KOENRAAD, A. HIERRO "GaAsSb-capped InAs quantum dots: from enlarged quantum dot height to alloy fluctuations" Internacional Quantum Dot Conference 2010. Nottinghan (UK), 2010
Año:2010
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
Internacional Quantum Dot Conference 2010 Nottinghan (UK), 2010
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Nottinghan (UK), 2010
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
26/04/2010
Fecha fin congreso
30/04/2010
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Título de las actas
GaAsSb-capped InAs quantum dots: from enlarged quantum dot height to alloy fluctuations
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: M. DEL MORAL
  • Autor: M. BOZKURT
  • Autor: P. M. KOENRAAD
  • Autor: Raquel Gargallo Caballero (UPM)
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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