Memorias de investigación
Communications at congresses:
J. M. ULLOA, M. DEL MORAL, M. BOZKURT, R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, P. M. KOENRAAD, A. HIERRO "GaAsSb-capped InAs quantum dots: from enlarged quantum dot height to alloy fluctuations" Internacional Quantum Dot Conference 2010. Nottinghan (UK), 2010
Year:2010
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
International
Si
Congress
Internacional Quantum Dot Conference 2010 Nottinghan (UK), 2010
960
Place
Nottinghan (UK), 2010
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
26/04/2010
End Date
30/04/2010
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GaAsSb-capped InAs quantum dots: from enlarged quantum dot height to alloy fluctuations
Participants
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología