Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
A. VILALTA-CLEMENTE, G. R. MUTTA, M. MORALES, J.L. DOUALAN, J. GRANDAL, M. A. SÁNCHEZ-GARCÍA, F. CALLE, E. VALCHEVA, K. KIRILOV, P. RUTERANA "Structural Study of InN layer with compressive strain" E-MRS, Symposium G: Physics and applications of novel gain materials based on III-V-N compounds Strasbourg (France), 2010
Año:2010
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
E-MRS, Symposium G: Physics and applications of novel gain materials based on III-V-N compounds Strasbourg (France), 2010
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Strasbourg (France), 2010
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
07/06/2010
Fecha fin congreso
11/05/2010
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Título de las actas
Structural Study of InN layer with compressive strain
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: A. VILALTA-CLEMENTE
  • Autor: G. R. MUTTA
  • Autor: M. MORALES
  • Autor: J.L. DOUALAN
  • Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
  • Autor: E. VALCHEVA
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: K. KIRILOV
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
  • Autor: P. RUTERANA
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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