Patentes:
DR. GONZALO FUENTES. "Método de fabricación de sustratos de circuitos integrados basados en tecnología CMOS". Solicitada 2010
DR. GONZALO FUENTES. "Método de fabricación de sustratos de circuitos integrados basados en tecnología CMOS". Solicitada 2010
Año:2010
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con linea de investigación del GDS | |
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Internacional
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No |
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Estado
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Solicitada |
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Referencia Patente Prioritaria
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ES2346396A1 |
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En explotación
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No |
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Fecha solicitud
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01/01/2010 |
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Titulares aparte de la UPM
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Participantes
- Autor: Gonzalo Fuentes Iriarte (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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