Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
MOVPE growth on Ge substrates for thermophotovoltaic cell applications
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
A novel MOVPE growth sequence has been proposed to form efficient TPV cells based on germanium. This process consist of the formation of a highly rough GaInP layer on the Ge wafer, while maintaining he control of P diffusion into the germanium to attain the desired p/n junction depth. The textured GaInP layer is aimed to act as a light trapping structure to minimise reflection losses in TPV applications where the emitter is usually placed very close to the converter and thus radiation reaches the cell from multiple directions. Morphological analyses and the quantum efficiency of the grown samples demonstrate that the goals of the process have been achieved.
Internacional
Si
Nombre congreso
12th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Bratislava (Eslovaquia)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
DOI
Fecha inicio congreso
03/06/2007
Fecha fin congreso
06/06/2007
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Título de las actas
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Beatriz Galiana Blanco (UPM)
  • Autor: Alejandro Datas Medina (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
  • Autor: Ivan Garcia Vara (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física
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