Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Temperature dependence of the exciton gap in monocrystalline CuGaS2
Año:2010
Áreas de investigación
  • Física química y matemáticas
Datos
Descripción
Single crystals of CuGaS2 have been grown by chemical vapour transport. Their near-band gap photoluminescence properties were investigated in the temperature range of 10-300 K. The variation of the exciton gap energy with temperature was studied by means of a three-parameter thermodynamic model, the Einstein model and the Passler model. Values of the band gap at T=0 K, of a dimensionless constant related to the electron-phonon coupling, and of an effective and a cut-off phonon energy have been estimated. It has also been found that the major contribution of phonons to the shift of E-g as a function of Tin CuGaS2 is mainly from optical phonons. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
PHYSICA B-CONDENSED MATTER
ISSN
0921-4526
Factor de impacto JCR
1,056
Información de impacto
Volumen
405
DOI
Número de revista
Desde la página
3547
Hasta la página
3550
Mes
SEPTIEMBRE
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Participante: S. Levcenco
  • Participante: S. Doka
  • Participante: V. Tezlevan
  • Autor: David Fuertes Marron UPM
  • Participante: L. Kulyuk
  • Participante: T. Schedel-Niedrig
  • Participante: M.C. Lux-Steiner
  • Participante: E. Arushanov
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar