Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Ionization energy levels in C-doped InxGa1-xN alloys
Año:2010
Áreas de investigación
  • Física química y matemáticas,
  • Química
Datos
Descripción
The InxGa1-xN alloys present levels as a result of the intentional (doped) or unintentional (contamination) introduction of C atoms into the host semiconductor. The III-V nitride semiconductors and their alloys usually crystallize in the wurtzite structure although the zinc blende structure has also been grown. We obtained the InxGa1-xN: C ionization energies from first-principles calculations of the two ordered wurtzite and zinc blende structures using different exchange and correlation terms. In accordance with the experimental results, the ionization levels could give rise, on some occasions, to a metallic impurity band. (C) 2010 American Institute of Physics. [doi: 10.1063/1.3515854]
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,554
Información de impacto
Volumen
97
DOI
Número de revista
Desde la página
192102-1
Hasta la página
192102-3
Mes
NOVIEMBRE
Ranking
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Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar