Ponencias en congresos:
Electro-thermal model for the design of Schottky diode based circuits
Electro-thermal model for the design of Schottky diode based circuits
Año:2010
Áreas de investigación
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Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| The planar GaAs Schottky diode frequency multiplier is a critical component for the local oscillator for submillimeter wave heterodyne receivers. They provide low mass, electronic tunability, broad bandwidth, long life time, and room temperature operation. The use of a W-band (75GHz ¿ 110 GHz) power amplifier followed by one or more frequency multipliers is the most common implementation of submillimeter-wave sources from 200 GHz to 2000 GHz. | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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21st International Symposium on Space Terahertz Technology |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Oxford, Reino Unido |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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DOI
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Fecha inicio congreso
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23/03/2010 |
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Fecha fin congreso
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25/03/2010 |
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Desde la página
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165 |
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Hasta la página
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166 |
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Título de las actas
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Libro de Actas |
Participantes
- Autor: Jesus Grajal De la Fuente (UPM)
- Autor: Carlos Gustavo Pérez Moreno (Universidad Politécnica de Madrid)
- Autor: Beatriz Mencía Oliva (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Microondas y Radar
- Departamento: Señales, Sistemas y Radiocomunicaciones
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