Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Degradation of AlInGap red LEDs under drive current and temperature accelerated life tests
Año:2010
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
AlInGaP LEDs are widely used in illumination applications as automotive and signalization due their low consumption and high durability. In order to verify the high durability data it is necessary to consider not only catastrophic failures but also degradation. In this work LEDs degradation at different temperature and drive current accelerated tests have been analyzed. In all the tests we have carried out an exponential degradation trend have been observed. Temperature and drive current influence in degradation rate and reliability have been evaluated.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
MICROELECTRONICS RELIABILITY
ISSN
0026-2714
Factor de impacto JCR
1,117
Información de impacto
Volumen
50
DOI
Número de revista
Desde la página
1559
Hasta la página
1562
Mes
SEPTIEMBRE
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Manuel Vazquez Lopez (UPM)
  • Participante: A. Borreguero
  • Autor: Neftali Nuñez Mendoza (UPM)
  • Autor: Eduardo Nogueira Diaz (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
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