Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Si and SixGe1-x NWs studied by Raman spectroscopy
Año:2010

Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones

Datos
Descripción
Estio mediante espectroscopía Raman de nanohilos de siliicio-germanio
Internacional
Si
Nombre congreso
10th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Halle (Saale), Alemania
Revisores
Si
ISBN o ISSN
1610-1642
DOI
DOI 10.1002/pssc.201083990
Fecha inicio congreso
04/07/2010
Fecha fin congreso
07/07/2010
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Título de las actas
Si and SixGe1-x NWs studied by Raman spectroscopy

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Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Conectividad
  • Departamento: Tecnología Electrónica