Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Patentes:
Method implemented in a computer for the numerical simulation of semiconductor devices comprising tunnel junctions
Año:2010
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
The present invention is directed to a method implemented in a computer for the numerical simulation of a semiconductor device which contains one or more tunnel junctions and allows the simulation for all the working range of the tunnel junction. The method is based on a distributed model where the tunnel junction can be integrated in the simulation by means of distributed electronic circuits of a semiconductor device and, specially, of multijunction solar cells. The said method is used to circumvent the convergence problems existing so far and allows in particular the full description of the experimental behavior of the multijunction solar cells and, by extension, of any kind of semiconductor device containing tunnel junctions.
Internacional
Si
Estado
Solicitada
Referencia Patente Prioritaria
EP10382076.7
En explotación
Si
Fecha solicitud
05/04/2010
Titulares aparte de la UPM
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Ivan Garcia Vara (UPM)
  • Autor: Pilar Espinet González (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
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