Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Patentes:
Procedimiento de fabricación de dispositivos optoelectrónicos de banda intermedia basados en tecnología de lámina delgada
Año:2008
Áreas de investigación
Datos
Descripción
Procedimiento de fabricación de dispositivos optoelectrónicos de banda intermedia basados en tecnología de lámina delgada caracterizado porque comprende, al menos, las siguientes etapas: - una primera etapa, donde sobre un substrato (1) se deposita una capa metálica (2) que actuará como electrodo; - una segunda etapa, donde sobre la capa metálica (2) se deposita un elemento semiconductor de tipo p (3); y - una tercera etapa, de procesado del material de banda intermedia; donde dicho material de banda intermedia consiste en un estructuras nanoscópicas (4) de material multinario de tipo (Cu, Ag)(Al, Ga, In)(S, Se, Te)2 embebido en una matriz (5) de composición similar, salvo por la ausencia de, al menos, un catión presente en la estructura nanoscópica.
Internacional
No
Estado
Concedida
Referencia Patente Prioritaria
P200801711
En explotación
No
Fecha solicitud
06/06/2008
Titulares aparte de la UPM
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Inventor: David Fuertes Marron (UPM)
  • Inventor: Antonio Luque Lopez (UPM)
  • Inventor Contacto: Antonio Marti Vega (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
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