Artículos en revistas:
Mg doping of InGaN layers grown by PA-MBE for the fabrication of Schottky barrier photodiodes
Mg doping of InGaN layers grown by PA-MBE for the fabrication of Schottky barrier photodiodes
Año:2010
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS |
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ISSN
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0022-3727 |
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Factor de impacto JCR
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2,105 |
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Información de impacto
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Volumen
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43 |
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DOI
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10.1088/0022-3727/43/33/335101 |
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Número de revista
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33 |
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7 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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31/116 PHYSICS, APPLIED (SCI) |
Participantes
- Autor:
j. pereiro (UPM) - Autor: a. redondo-cubero (UPM)
- Autor: s. fernandez-garrido (UPM)
- Autor: c. rivera (UPM)
- Autor: a. navarro (UPM)
- Autor: e. munoz (UPM)
- Autor: e. calleja (UPM)
- Autor: r. gago
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Fundamentos teórico-prácticos de la Intervención en el Patrimonio Arquitectónico
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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