Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Mg doping of InGaN layers grown by PA-MBE for the fabrication of Schottky barrier photodiodes
Year:2010

Research Areas

Information
Abstract
International
Si
JCR
Si
Title
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
ISBN
0022-3727
Impact factor JCR
2,105
Impact info
Volume
43
10.1088/0022-3727/43/33/335101
Journal number
33
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0
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7
Month
SIN MES
Ranking
31/116 PHYSICS, APPLIED (SCI)
Participants
  • Autor: j. pereiro UPM
  • Autor: a. redondo-cubero UPM
  • Autor: s. fernandez-garrido UPM
  • Autor: c. rivera UPM
  • Autor: a. navarro UPM
  • Autor: e. munoz UPM
  • Autor: e. calleja UPM
  • Autor: r. gago

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Fundamentos teórico-prácticos de la Intervención en el Patrimonio Arquitectónico
  • Departamento: Ingeniería Electrónica