Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Strain balanced quantum posts for intermediate band solar cells
Año:2010
Áreas de investigación
  • Fisica sb -- semiconductores y estructura de bandas
Datos
Descripción
In this work we present strain balanced InAs quantum post of exceptional length in the context of photovoltaics. We discuss the general properties of these nanostructures and their impact in the practical implementation of an intermediate band solar cell. We have studied the photocurrent generated by strain balanced quantum posts embedded in a GaAs single crystal, and compared our results with quantum dot based devices. The incorporation of phosphorous in the matrix to partially compensate the accumulated stress enables a significant increase of the Quantum post maximum length. The relative importance of tunneling and thermal escape processes is found to depend strongly on the geometry of the nanostructures.
Internacional
Si
Nombre congreso
35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Honolulu, Hawaii (EEUU)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-1-4244-5891-2
DOI
Fecha inicio congreso
20/06/2010
Fecha fin congreso
25/06/2010
Desde la página
928
Hasta la página
933
Título de las actas
Proc. 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar