Memorias de investigación
Artículos en revistas:
External efficiency and carrier loss mechanisms in InAs/GaInNAs quantum dot light-emitting diodes
Año:2010

Áreas de investigación

Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,064
Información de impacto
Volumen
108
DOI
10.1063/1.3467004
Número de revista
3
Desde la página
0
Hasta la página
8
Mes
SIN MES
Ranking

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: a. hierro UPM
  • Autor: j. m. ulloa UPM
  • Autor: m. al khalfioui
  • Autor: m. hugues
  • Autor: b. damilano
  • Autor: j. massies

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Departamento: Ingeniería Electrónica