Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
External efficiency and carrier loss mechanisms in InAs/GaInNAs quantum dot light-emitting diodes
Año:2010
Áreas de investigación
Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,064
Información de impacto
Volumen
108
DOI
10.1063/1.3467004
Número de revista
3
Desde la página
0
Hasta la página
8
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: a. hierro (UPM)
  • Autor: j. m. ulloa (UPM)
  • Autor: m. al khalfioui
  • Autor: m. hugues
  • Autor: b. damilano
  • Autor: j. massies
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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