Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
SI(100) VERSUS GE(100): WATCHING THE INTERFACE FORMATION FOR THE GROWTH OF III-V-BASED SOLAR CELLS ON ABUNDANT SUBSTRATES
Año:2011
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
We investigated the atomic surface properties of differently prepared silicon and germanium (100) surfaces during metal-organic vapour phase epitaxy/chemical vapour deposition (MOVPE/MOCVD), in particular the impact of the MOVPE ambient, and applied reflectance anisotropy/difference spectroscopy (RAS/RDS) in our MOVPE reactor to in-situ watch and control the preparation on the atomic length scale for subsequent III-V-nucleation. The technological interest in the predominant opto-electronic properties of III-Vcompounds drives the research for their heteroepitaxial integration on more abundant and cheaper standard substrates such as Si(100) or Ge(100).
Internacional
Si
Nombre congreso
37th IEEE Photovoltaic Specialist Conference
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Seattle (USA)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-1-4244-9965-6
DOI
Fecha inicio congreso
19/06/2011
Fecha fin congreso
24/06/2011
Desde la página
2538
Hasta la página
2542
Título de las actas
37th IEEE Photovoltaic Specialist Conference
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física