Artículos en revistas:
Internal quantum efficiency of III-nitride quantum dot superlattices grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
Año:2011
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
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ISSN
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0021-8979 |
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Factor de impacto JCR
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2,064 |
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Información de impacto
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Volumen
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109 |
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DOI
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10.1063/1.3590151 |
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Número de revista
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10 |
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Ranking
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33/116 PHYSICS, APPLIED (SCI) |
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Participantes
- Autor: z. gacevic UPM
- Autor: a. das
- Autor: j. teubert
- Autor: y. kotsar
- Autor: p. k. kandaswamy
- Autor: th. kehagias
- Autor: t. koukoula
- Autor: ph. komninou
- Autor: e. monroy
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica