Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
High quality InAlN single layers lattice-matched to GaN grown by molecular beam epitaxy
Año:2011
Áreas de investigación
Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,82
Información de impacto
Volumen
99
DOI
10.1063/1.3614434
Número de revista
3
Desde la página
0
Hasta la página
3
Mes
SIN MES
Ranking
14/116 PHYSICS, APPLIED (SCI)
Participantes
  • Autor: z. gacevic (UPM)
  • Autor: s. fernandez-garrido (UPM)
  • Autor: j. m. rebled
  • Autor: s. estrade
  • Autor: f. peiro
  • Autor: e. calleja (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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